贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书 探讨基于GaN的电力电子器件的优势

贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。



《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家畅谈氮化镓技术）一书探讨了比硅效率更高、开关速度更快、功率密度更大的氮化镓如何彻底改变电力电子行业。从汽车和工业应用，再到消费电子和可再生能源，GaN技术的优势对各行各业都有着深远影响。这本新电子书提供了ADI、Bourns及其他公司的专家对GaN的见解，包括GaN的优势、设计人员首次使用GaN可能面临的挑战以及如何顺利完成从硅到GaN的过渡。本电子书还重点介绍了ADI和Bourns的相关产品，包括GaN控制器和驱动器，以及功率电感器等。

ADI LTC7890/1同步降压控制器是一款高性能的降压型DC-DC开关稳压器控制器，通过高达100V的输入电压驱动N沟道同步GaN场效应晶体管 (FET) 功率级。与硅金属氧化物半导体解决方案相比，这些器件简化了应用设计，无需保护二极管和其他额外的外部组件。

LT8418是一款100V半桥GaN驱动器，集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。LT8418提供分离式栅极驱动器来调整GaN FET的开启和关闭压摆率，因此能抑制振铃并优化EMI性能。

由于GaN技术的高开关频率，需要用户仔细选择无源元件。Bourns提供针对GaN高频优化的先进磁性元器件，包括其PQ扁线功率电感器、CWP3230A片式电感器和 TLVR1105T TLVR电感器。这些器件具有低电感、高额定电流和低辐射的屏蔽结构。

Bourns HCTSM150102HL变压器具有更强的隔离能力、15mm最小电气间隙/爬电距离和7.64kV (2s) 耐压，提升了隔离高压危险的水平。该变压器采用铁氧体环形磁芯，具有高耦合系数和效率。

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