碳化硅MOS电压2000V内阻98mΩ/ASC30N2000MT4PB

2024年11月23日 10:30    发布者：Eways-SiC
ASC30N2000MT4PB碳化硅MOS，电压2000V内阻98mΩ、Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A（DataSheet：316551）



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网友评论

Eways-SiC 2025年02月27日
碳化硅MOSFET驱动设计合订本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取码uspc   :victory:
Eways-SiC 2025年04月01日
基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究  https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw   :handshake

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