碳化硅MOS电压2000V内阻98mΩ/ASC30N1200MT4PB

2024年11月23日 10:30    发布者：Eways-SiC
ASC30N1200MT4PB碳化硅MOS，电压2000V内阻98mΩ、Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A（DataSheet：316551）



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