SK海力士宣布量产全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存

今日，SK海力士宣布成功量产全球首款321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存，这一创新标志着NAND闪存技术迈入了一个全新的高度。

SK海力士表示，此次量产的321层NAND闪存不仅突破了技术界限，还率先实现了超过300层的NAND闪存量产。与前一代的238层NAND闪存相比，这款新型闪存在数据传输速度和读取性能上分别提升了12%和13%，同时在能效方面也提高了10%以上。这一显著的性能提升，无疑将为数据中心、智能手机、个人电脑等设备提供更强大、更高效的存储支持。



在开发过程中，SK海力士采用了高效的“3-Plug”工艺技术，该工艺涉及三次通孔工艺流程的优化，确保了多个通孔之间的电气连接得以有效实施。通过引入低变形材料和通孔间的自动排列矫正技术，SK海力士克服了堆叠技术中的诸多挑战，成功实现了更为紧凑和稳定的堆叠结构。这不仅提升了闪存的性能稳定性，还有效减少了制造过程中的误差，提高了产品的可靠性。

此外，SK海力士在开发过程中沿用了与238层NAND闪存相同的开发平台，最大限度地减少了工艺切换的影响，并将生产效率提高了59%。这一生产效率的提升，使得SK海力士能够以更具竞争力的价格提供高性能的存储产品，进一步巩固了其在存储器产业链中的地位。

SK海力士计划从2025年上半年起向客户提供321层NAND闪存产品，以满足市场对高性能存储的不断增长的需求。随着数据量的不断增加，传统的存储解决方案往往难以满足用户的需求。而321层NAND闪存的高性能特性，无疑将为各种应用场景提供更快、更高效的解决方案。无论是在高性能游戏、高清视频播放，还是在日常多任务操作中，其出色的速度和稳定性都能极大提升用户体验。

SK海力士NAND开发负责人表示：“最新的发展，使公司离以AI数据中心和设备端AI的SSD为代表的AI存储市场的领导地位又近了一步。”这一技术突破不仅将推动SK海力士在AI存储市场的竞争力，也将对整个存储行业产生深远的影响。