Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能

TrenchFET 器件采用PowerPAK SO-8S封装，RthJC低至0.45 C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出采用PowerPAK SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而连续漏极电流增加了179 %。



日前发布的器件具有业内先进的导通电阻（10 V 时为 5.6 m）以及导通电阻和栅极电荷乘积FOM（336 m*nC），可最大限度降低传导造成的功率损耗。因此，设计人员能够提高效率，满足下一代电源的要求，例如6 kW AI服务器电源系统。此外，PowerPAK SO-8S封装具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可实现高达144 A的持续漏极电流，从而提高功率密度，同时提供强大的SOA能力。

SiRS5700DP非常适合同步整流、DC/DC转换、热插拔开关和OR-ing功能。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储；通信电源；太阳能逆变器；电机驱动和电动工具；以及电池管理系统。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试，符合IPC-9701标准，可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封装。

SiRS5700DP现可提供样品并已实现量产。关于订货周期信息，请联系您当地的销售办事处。