SK海力士宣布开发HBM3e 16hi产品

2024年11月15日 09:32    发布者:eechina
近日,在备受瞩目的SK AI Summit 2024活动上,SK hynix(SK海力士)宣布了一项令人振奋的科技创新成果——正在开发的HBM3e 16hi产品。这款新产品标志着在高性能计算和云服务领域内存技术的重大突破,每颗HBM芯片的容量达到了前所未有的48GB,并预计在2025年上半年进行送样。

SK AI Summit 2024活动以“AI Together, AI Tomorrow”为主题,在首尔三成洞的国际会议中心(COEX)举行,为期两天,吸引了全球AI领域的权威专家和科技企业参与。作为活动的亮点之一,SK hynix在会上正式展示了其最新的HBM3e 16hi产品,并分享了其致力于成为全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)的愿景。

HBM3e 16hi产品采用了先进的MR-MUF(Multi-Rank Memory Ultra-Fast)堆栈制程,通过垂直互联多个DRAM芯片,显著提高了数据处理速度。这一创新使得每颗HBM芯片的容量达到了48GB,为高性能计算和云服务提供了更为强大的内存支持。

据SK hynix介绍,HBM3e 16hi产品的潜在应用包括CSP(云端服务业者)自行研发的ASIC和general purpose GPU(通用型GPU)。在HBM4世代量产前,这款产品有望在HBM3e世代推升位元容量上限,为客户提供大位元容量的选择。以每SiP搭载8颗HBM颗数计算,HBM3e 16hi可将位元容量上限推进至384GB,较现有产品有了显著提升。

SK hynix选择在HBM3e世代追加推出16hi产品,一方面是因为TSMC(台积电)CoWoS-L可提供的封装尺寸将于2026和2027年间扩大,每个SiP可搭载的HBM颗数增加,但后续升级仍面临技术挑战和不确定性。在生产难度更高的HBM4 16hi量产前,HBM3e 16hi可以作为过渡产品,为客户提供高性能和大容量的内存解决方案。

此外,SK hynix还表示,HBM3e 16hi产品的推出将有助于公司在HBM4及HBM4e世代积累高堆栈层数的量产经验,以加速后续产品的量产时程。未来,SK hynix还将继续探索混合键合(hybrid bonding)制程技术,以拓展运算频宽更高的应用客群。