英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆

10月29日，英飞凌（Infineon）宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圆。这款晶圆的直径为30mm，厚度仅为20微米，相当于人类头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60微米晶圆厚度的一半。这一技术突破不仅彰显了英飞凌在半导体领域的卓越实力，更为全球半导体技术的发展开启了新的篇章。

英飞凌此次推出的全球最薄硅功率晶圆，采用了业界领先的加工技术，通过降低晶圆厚度，将基板电阻减半，进而将功率损耗减少了15%以上。这一技术突破不仅提升了晶圆的性能，还为功率器件的集成和设计提供了更多可能性。据英飞凌官方介绍，这款晶圆已被应用于其集成智能功率级（如直流-直流转换器）中，并成功交付给首批客户，展现出了广阔的市场前景。

此外，英飞凌的新型晶圆在电动汽车、智能家居设备以及绿色能源项目中也具有重要潜力。随着全球对可持续发展和节能减排的需求不断增加，英飞凌的这款最薄硅功率晶圆将成为推动这一转变的重要力量。其超薄设计和高效能的特性，预示着未来半导体行业将向着更高的技术标准和更灵活的设计方向迈进。

英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁在发布会上表示：“这款全球最薄的硅晶圆展现了我们致力于通过推动功率半导体技术的发展，为客户创造非凡的价值。英飞凌在超薄晶圆技术方面的突破标志着我们在节能功率解决方案领域迈出了重要一步，并且有助于我们充分发挥全球低碳化和数字化趋势的潜力。”