三星成功开发其首款24Gb GDDR7 DRAM

三星电子今日宣布成功开发出其首款24Gb GDDR7（第七代图形双倍数据传输率存储器）。这一创新成果标志着三星在高性能存储解决方案领域迈出了重要一步，将广泛应用于数据中心、AI工作站等需要高性能存储的领域。

据了解，24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，使得在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，单元密度提高了50%。这一技术革新不仅提升了存储器的容量，还显著优化了其性能表现。此外，GDDR7还引入了脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到了40Gbps，与前代产品相比提高了25%。三星方面表示，根据使用环境的不同，GDDR7的性能还可以进一步提升至最高42.5Gbps。



在能效方面，24Gb GDDR7也实现了显著提升。通过将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，GDDR7采用了包括“时钟控制管理”和“双电压（VDD）设计”等方法，大幅降低了不必要的功耗，实现了超过30%的能效提升。此外，GDDR7还采用了电源门控设计，能够尽可能降低电流泄漏，确保在高速运行时具备较好的稳定性。

三星电子存储器产品企划团队执行副总裁裴永哲表示：“继去年开发出三星首款16Gb GDDR7后，三星凭借此次最新研发成果，进一步巩固了其在图形DRAM市场的技术前沿优势。我们将持续推出新一代产品，以满足人工智能市场不断增长的需求，引领图形DRAM市场发展。”

据悉，24Gb GDDR7将在今年在下一代AI计算系统中进行验证，并计划于明年年初实现商业化。这一创新产品将为数据中心、AI工作站等高性能计算领域提供更为强大、高效的存储解决方案，推动相关领域的快速发展。