台积电2nm工艺继续涨价，每片晶圆或超3万美元

近日，台积电在其官方发布会上宣布，随着2nm工艺技术的不断突破和量产计划的推进，每片300mm的2nm晶圆价格预计将超过3万美元大关。这一价格相较于目前市场上的4/5nm晶圆（价格区间约为1.5到1.6万美元）和3nm晶圆（价格区间约为1.85万至2万美元）而言，涨幅显著。

台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，并结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是，晶体管密度将提升15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。

然而，伴随着技术的升级，成本也相应攀升。据台积电透露，新工艺的引入意味着更多的EUV光刻步骤，甚至可能采用双重曝光技术，这无疑将进一步提升生产成本。此外，先进工艺研发费用不断增加，涉及IP授权、软件验证、设计架构等多个环节，这些成本最终都反映在了晶圆的价格上。

面对市场对2nm工艺技术的强烈需求，台积电正不断加大对该制程节点的投资力度。2nm晶圆厂将在中国台湾的北部（新竹宝山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）三地布局，以确保产能满足市场需求。台积电已规划N2工艺于2025年下半年正式进入批量生产阶段，预计客户最快可在2026年前收到首批采用N2工艺制造的芯片。