1200V~1700V内绝缘型SiC MOSFET为高效能应用提供新选项

TO-247-4封装的SiC MOSFET因其高速开关性能、降低的开关损耗等优势而受到市场的广泛欢迎，这种封装通过Kelvin连接减少了电源线电感对栅极驱动信号的影响，提供了设计灵活性并改善了热性能，适用于高端服务器电源、太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动、储能和充电桩等多种应用领域，满足了市场对高效率和高功率密度解决方案的需求。目前爱仕特已量产21款TO-247-4封装的SiC MOSFET，电压覆盖650V—3300V。爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。SiC MOSFET的性能特点：该产品搭载了爱仕特自研第三代SiC 芯片，具有开关速度快、抗干扰能力强和高可靠性等特点。该产品尺寸为40*15.9*5mm，与常规TO-247-4封装尺寸一致，可实现快速替换。高开关速度SiC 材料的高电子迁移率，提升系统响应速度和动态性能高功率密度搭载第三代自研SiC 芯片，实现小尺寸下的大电流承受能力低寄生电感设计紧凑内部布局，降低功率回路中的寄生电感高抗干扰能力具有开尔文源极引脚，能够进一步降低器件的开关损耗，提高模块的抗干扰能力高温稳定性宽温度范围下（-55°C至175°C）的稳定运行，适应各种环境条件内绝缘型TO-247-4封装使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOSFET背部散热片相互隔离，最终在MOSFET的漏极与其背部散热片之间实现电气隔离。总体热阻不同：减少了绝缘垫的热阻常规TO-247封装SiC MOSFET的总体热阻＝芯片热阻+芯片下焊料的热阻+铜支架的热阻+导热硅脂的热阻+绝缘垫的热阻+散热器的热阻。内绝缘型TO-247-4封装减少了绝缘垫的热阻，直接安装到散热器使用，缓冲了功率MOSFET封装中芯片和铜框架的热膨胀系数的差异，显著减少相邻层之间的热失配，提高了功率循环耐受性，进而降低器件结温。安装工艺不同：简化生产流程简化的内绝缘封装设计不仅提高了生产效率，还降低了热阻，为电力系统的高性能运行提供了新的选择。在应用中的对比优势降低成本无需增加MOSFET和散热片之间的绝缘片及固定螺丝上的绝缘粒，节约了材料成本、物料管理成本和生产成本简化生产装配省略器件与散热器之间的绝缘垫片，简化生产流程解决不同作用的MOSFET共用一个散热片的绝缘问题提高可靠性避免因绝缘材料高温或破裂而产生的可靠性问题铜框架和SiC 芯片的热膨胀系数差异较大，内置陶瓷绝缘片可以提高功率循环的可靠性