SK海力士宣布大规模量产12层HBM3E芯片

SK海力士今日正式宣布，公司已成功实现其最新的12层堆叠HBM3E（高带宽内存）芯片的量产，此次量产的12层HBM3E芯片，不仅突破了现有存储技术的限制，更实现了业界首个单颗36GB的内存封装，较之前的HBM产品容量大幅提升50%。这一成果得益于公司创新的技术解决方案，包括将DRAM芯片制造得比以往更薄40%，并采用先进的硅通孔技术（TSV）进行垂直堆叠。通过这一设计，SK海力士成功在保持产品厚度不变的同时，显著提高了存储容量和性能。



在性能方面，HBM3E芯片同样表现出色。其数据传输速率高达9.6Gbps，带宽则达到了惊人的819GB/s，相比前一代产品有了质的飞跃。这一性能提升将极大地加速数据处理速度，满足深度学习、实时数据分析等复杂应用场景的需求。同时，HBM3E还具备低延迟和高效能的特点，为图形处理、机器学习和模拟仿真等应用提供了坚实的硬件基础。

市场反应方面，SK海力士宣布量产12层HBM3E芯片的消息迅速引发了市场热潮。公司股价在韩国市场一度上涨超过8%，市值突破120.34万亿韩元（约合6351.55亿元人民币）。这一表现不仅体现了市场对SK海力士技术实力的认可，也预示着HBM3E芯片在未来智能设备市场中的广阔前景。

SK海力士作为全球唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业，其在HBM存储领域的领导地位进一步得到巩固。公司表示，12层HBM3E芯片在面向AI的存储器所需的速度、容量、稳定性等方面均已达到全球最高水平。这一产品的推出，不仅满足了人工智能企业日益增长的需求，也为整个行业树立了新的技术标杆。

业内人士认为，SK海力士的HBM3E芯片量产将推动高带宽存储解决方案进入新阶段。特别是在人工智能和高性能计算领域，这一技术突破将为行业带来重要的发展机遇。随着5G和人工智能技术的迅猛发展，处理大数据的需求愈发明显。HBM3E芯片凭借其高性能、低功耗的特点，将在智能设备市场占据重要位置，助力制造商实现更高效的产品设计和开发。