申请专利：中国7纳米芯片光刻技术取得重大突破

据工业和信息化部发布的最新消息，上海微电子装备（集团）股份有限公司已成功提交了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利申请（申请号：CN202310226636.7）。该专利针对当前极紫外（EUV）光刻技术中的关键挑战，提出了一种创新性的解决方案，旨在高效且简便地收集光刻过程中产生的带电粒子，以提高光刻设备中关键部件——收集器镜的使用寿命。

光刻机被誉为“芯片之母”，是集成电路制造中最为关键的设备之一。此次专利申请的核心技术，正是针对光刻机中极紫外光源系统的优化与创新。通过巧妙设计，利用电场约束带电粒子的运动轨迹，该技术能够高效收集并处理光刻过程中产生的有害带电粒子，如锡碎屑等，从而延长收集器镜的使用寿命，并显著提升光刻设备的整体性能和稳定性。

值得注意的是，该专利的提出不仅解决了极紫外光刻设备中的一大技术难题，更标志着中国在7纳米芯片光刻技术领域取得了重要进展。工信部此前发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中，明确列出了氟化氩光刻机，并对其技术参数提出了具体要求，包括光源为193纳米、分辨率不大于65纳米、套刻精度不大于8纳米等。这一指标的提出，彰显了我国在半导体制造领域追求技术突破的决心和实力。

随着此次专利申请的提交，中国半导体行业在7纳米芯片光刻技术上的突破得到了进一步确认。这不仅意味着我国在该领域已经具备了自主研发和量产能力，也为未来实现更高精度、更高性能的芯片制造奠定了坚实基础。

据了解，上海微电子装备（集团）股份有限公司作为该专利的申请者，其核心团队由多位资深科学家和工程师组成，他们在光刻技术领域积累了丰富的经验和深厚的技术底蕴。此次专利申请的成功，是公司长期以来坚持自主创新、不断突破技术瓶颈的结果，也是中国半导体行业集体智慧的结晶。