国产DUV光刻机技术取得重大突破

近日，我国半导体产业迎来振奋人心的消息，工信部宣布印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》，在电子专用装备目录下，集成电路设备方面包括：氟化氩光刻机，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm，标志着我国在高端半导体设备自主研发领域迈出了坚实的一步。



这款光刻机不仅拥有自主知识产权，还在整机设备、核心技术及关键零部件上实现了重大创新，为我国半导体产业链的自主可控提供了重要支撑。

光刻机作为半导体制造中的核心设备，其技术水平直接决定了芯片的性能和品质。长期以来，我国在光刻机领域一直受制于人，高端设备主要依赖进口。然而，面对国际市场的复杂形势和技术封锁，我国企业没有放弃自主研发的道路，通过不懈的努力和持续投入，终于在DUV光刻机领域取得了重大突破。

此次国产DUV光刻机的成功研发，不仅打破了国外技术垄断，还为我国半导体产业带来了诸多积极影响。首先，它将有效提升我国芯片制造的自主创新能力，降低对进口设备的依赖，增强我国在全球半导体产业链中的话语权。其次，国产DUV光刻机的推广应用将促进我国半导体产业的整体发展，推动产业升级和转型升级。最后，这一成就也将为我国在高科技领域的国际竞争提供有力支持，提升我国的国际地位和影响力。