SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

SK海力士今日宣布，其研发团队已成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，标志着公司在数据存储技术领域迈出了划时代的一步。



据SK海力士官方介绍，此次推出的第六代10纳米级DDR5 DRAM采用了最先进的制造工艺，实现了每颗芯片16Gb的存储容量，同时其运行速度达到了每秒8Gbps，相比前一代产品提升了11%。这一显著的速度提升将极大地加快数据中心的数据处理能力，满足日益增长的高性能计算需求。

在能效方面，新款DDR5 DRAM同样表现出色。得益于10纳米级工艺的优化，其能效比前一代产品提高了超过9%。在当前全球倡导绿色计算和节能减排的背景下，这一改进无疑将为用户带来更低的能耗成本和更环保的使用体验。SK海力士预计，如果全球客户将其应用于数据中心，电费最高可减少30%，这将为运营商带来显著的成本节约。

SK海力士的技术团队表示，第六代10纳米级DDR5 DRAM的成功开发，得益于公司在半导体制造工艺领域的深厚积累和不断创新。公司以业界最高性能的第五代（1b）DRAM技术为基础，通过技术优化和新材料的引入，成功实现了工艺上的突破。同时，公司还在整个生产过程中进行了全面的优化，提高了生产效率和成本竞争力。

此外，SK海力士还透露，新款DDR5 DRAM将在年内完成量产准备，并计划于明年开始正式供应市场。

对于此次成果，SK海力士首席执行官表示：“我们非常自豪能够引领半导体存储器技术的发展潮流。第六代10纳米级DDR5 DRAM的成功开发，不仅是我们技术实力的体现，更是我们对未来市场需求深刻理解的结果。我们相信，这款产品将为用户带来前所未有的性能体验和成本节约，推动整个数据存储行业的进步。”