SK海力士2024年内将流片为英伟达和AMD供应HBM4内存

近日，半导体行业的领军企业SK海力士宣布了一项重要决定，该公司计划在2024年内先后为英伟达（NVIDIA）和AMD流片新一代高带宽内存（HBM4），这一消息迅速在行业内引起了广泛关注。随着人工智能、深度学习等高性能计算需求的不断增加，HBM4内存技术的突破将极大提升计算设备的性能，为市场带来前所未有的变革。

SK海力士此次推出的HBM4内存，将采用经过验证的1bnm DRAM裸片，确保了其稳定性和可靠性。与前代产品相比，HBM4的设计主打高性能与低能耗，使其在高端计算、图像处理及游戏等应用场景中具有明显的优势。这一新型内存解决方案不仅将大幅提升数据传输速率，还在热管理方面表现更加优异，为消费者带来更加流畅的游戏体验和更高的图形质量。

据悉，SK海力士已经为英伟达和AMD这两大重要客户成立了专门的HBM4内存开发团队，确保新产品能够及时推出并达到预期性能。英伟达预计将在今年10月开始HBM4的流片工作，而AMD的版本则预计将在年底前完成。这一时间表显示了市场对高性能计算需求的迫切程度，也体现了SK海力士在内存技术领域的持续创新能力。

在技术层面，SK海力士将与台积电紧密合作，采用先进的N12FFC+与N5工艺。这种新型制造工艺不仅提高了内存的传输速率，还进一步增强了其稳定性和可靠性。此外，SK海力士的HBM4内存还将通过堆叠方式提升带宽和性能，以满足人工智能和深度学习等高性能计算领域的需求。

特别值得一提的是，英伟达计划在2026年推出的后Blackwell世代高性能AIGPU“Rubin”将大量采用12层堆叠的HBM4内存。这一技术的应用将进一步推动人工智能和图形处理性能的极限，为英伟达在市场竞争中占据有利位置提供坚实的技术支持。

SK海力士在HBM领域的这一举措，不仅将巩固其在全球市场的领先地位，还将对整个半导体行业产生深远影响。随着HBM4内存的投产，英伟达和AMD等科技巨头将能够推出更加先进的高性能计算设备，满足市场对于高性能计算、人工智能和深度学习等领域的不断增长需求。

此外，SK海力士的竞争对手三星电子也在积极谋划推出自己的HBM4内存产品，这使得市场竞争变得更加激烈。