三星电子公布BSPDN背面供电技术显著收益

近日，三星电子在科技界引起了广泛关注，其最新研发的BSPDN（Backside Power Delivery Network，背面供电网络）技术展现出显著的技术优势与收益。三星电子负责晶圆代工PDK开发团队的高级副总裁Lee Sun-Jae在西门子EDA论坛2024首尔场上详细介绍了这一创新技术，并分享了其在提升芯片性能、减少尺寸及能效方面的卓越表现。

BSPDN技术作为三星电子在先进制程领域的重要突破，旨在通过改变传统的前端供电网络（FSPDN）布局，将供电网络迁移至芯片背面，从而大幅优化芯片内部结构，解决布线堵塞问题，提升整体性能。据Lee Sun-Jae介绍，相较于传统的2nm工艺采用FSPDN供电方式，采用BSPDN技术的SF2Z节点在多个方面展现出显著优势：芯片面积可减少约17%，能效提升约15%，性能增强约8%。

这一突破性成果得益于BSPDN技术在晶圆背面布局供电网络的独特设计。通过将供电网络移至背面，不仅缓解了正面布线拥堵的问题，还使得芯片正面能够更加专注于与晶体管的信号互连，从而提升信号传输效率。此外，BSPDN技术还支持更粗的电线和更低的电阻，从而能够驱动更高的电流，进一步提高芯片性能或降低功耗。

三星电子的BSPDN技术不仅在技术上具有先进性，还展现出了显著的市场潜力。随着芯片制造工艺的不断推进，传统的FinFET技术在5nm以下制程工艺中已难以提供足够的效益，尤其是在面对数据密集型高性能应用程序时。而BSPDN技术的出现，无疑为晶圆代工市场注入了新的活力，将推动半导体行业向更高效率、更低功耗、更高性能的方向发展。

据悉，三星电子已将BSPDN技术纳入其先进的制程路线图，计划在未来几年内逐步实现量产。初版2nm制程SF2定于2025年量产，而采用BSPDN技术的改进版SF2Z则将于2027年量产。对于SF2P节点，三星电子也计划实现较SF2工艺12%的性能提升、25%的功耗降低以及8%的面积减少。

业内人士普遍认为，三星电子的BSPDN技术将成为未来半导体技术发展的重要方向之一。随着台积电、英特尔等晶圆制造大厂也纷纷布局背面供电技术，全球半导体行业正迎来一场新的技术革命。