Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管

高速器件采用表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管--- TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。



日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns，典型正向电压低至1.5 V，半强角只有 10，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。

器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，无铅（Pb），可采用温度达260°C的无铅焊接。

TSHF5211现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为20周。