Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。



日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 μA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。

碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI  600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。

器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。

器件规格表：

         产品编号  IF(AV) (A)  IFSM (A)  IF 下VF (V)  QC (nC)  配置  封装
  VS-3C05ET12T-M3  5  42  1.35  28  单晶圆  TO-220AC 2L
  VS-3C10ET12T-M3  10  84  1.35  55  单晶圆  TO-220AC 2L
  VS-3C15ET12T-M3  15  110  1.35  81  单晶圆  TO-220AC 2L
  VS-3C20ET12T-M3  20  180  1.35  107  单晶圆  TO-220AC 2L
  VS-3C05ET12S2L-M3  5  42  1.35  28  单晶圆  D2PAK 2L
  VS-3C10ET12S2L-M3  10  84  1.35  55  单晶圆  D2PAK 2L
  VS-3C15ET12S2L-M3  15  110  1.35  81  单晶圆  D2PAK 2L
  VS-3C20ET12S2L-M3  20  180  1.35  107  单晶圆  D2PAK 2L
  VS-3C10EP12L-M3  10  84  1.35  55  单晶圆  TO-247AD 2L
  VS-3C15EP12L-M3  15  110  1.35  81  单晶圆  TO-247AD 2L
  VS-3C20EP12L-M3  20  180  1.35  107  单晶圆  TO-247AD 2L
  VS-3C30EP12L-M3  30  260  1.35  182  单晶圆  TO-247AD 2L
  VS-3C10CP12L-M3  2 x 5  42  1.35  28  双晶圆共阴极  TO-247AD 3L
  VS-3C20CP12L-M3  2 x 10  84  1.35  55  双晶圆共阴极  TO-247AD 3L
  VS-3C30CP12L-M3  2 x 15  110  1.35  81  双晶圆共阴极  TO-247AD 3L
  VS-3C40CP12L-M3  2 x 20  180  1.35  107  双晶圆共阴极  TO-247AD 3L

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。