铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 目标2027年实现1000层堆叠

来源：EXPreview

进入2024年后，存储芯片价格的上涨势头持续，铠侠（Kioxia）选择结束了自2022年10月起开始施行的NAND闪存减产策略，将生产线的开工率重新提升至100%。与此同时，铠侠也在推进其技术开发计划，尝试在存储单元上堆叠更多的层数，目标直指1000层。

据PC Watch报道，近期铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。3D NAND闪存的层数从2014年的24层增加到2022年的238层，在8年内增长了10倍，在铠侠看来，以每年1.33倍的速度增长，到2027年达到1000层的水平是可能的。



在3D NAND闪存的层数挑战上，铠侠似乎比三星更有野心。三星在上个月表示，计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片，其中将引入新型铁电材料应用于NAND闪存芯片的制造上，以实现这一目标。

铠侠在去年推出了BiCS8 3D NAND闪存，为218层。利用了1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）的四个平面，通过创新的横向收缩技术，将位密度提高了50%以上。如果铠侠想在2027年实现1000层堆叠，可能需要过渡到五层单元（PLC）。



此外，想提高3D NAND芯片的密度不仅仅是增加层数，而且还涉及到制造过程中遇到的新问题，所涉及到的技术带来的挑战是巨大的。