铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 目标2027年实现1000层堆叠
2024年06月28日 11:04 发布者:eechina
来源:EXPreview进入2024年后,存储芯片价格的上涨势头持续,铠侠(Kioxia)选择结束了自2022年10月起开始施行的NAND闪存减产策略,将生产线的开工率重新提升至100%。与此同时,铠侠也在推进其技术开发计划,尝试在存储单元上堆叠更多的层数,目标直指1000层。
据PC Watch报道,近期铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。3D NAND闪存的层数从2014年的24层增加到2022年的238层,在8年内增长了10倍,在铠侠看来,以每年1.33倍的速度增长,到2027年达到1000层的水平是可能的。
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在3D NAND闪存的层数挑战上,铠侠似乎比三星更有野心。三星在上个月表示,计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片,其中将引入新型铁电材料应用于NAND闪存芯片的制造上,以实现这一目标。
铠侠在去年推出了BiCS8 3D NAND闪存,为218层。利用了1Tb三层单元(TLC)和四层单元(QLC)的四个平面,通过创新的横向收缩技术,将位密度提高了50%以上。如果铠侠想在2027年实现1000层堆叠,可能需要过渡到五层单元(PLC)。
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此外,想提高3D NAND芯片的密度不仅仅是增加层数,而且还涉及到制造过程中遇到的新问题,所涉及到的技术带来的挑战是巨大的。