Qorvo 推出采用 TOLL 封装的 750V 4mΩ SiC JFET，推动断路器技术的革命性变革

Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。



UJ4N075004L8S 的导通电阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是业内采用标准分立封装的 650V 至 750V 等级功率器件中导通电阻最低的器件。较低的导通电阻使发热量显著降低，加之紧凑的 TOLL 封装，使解决方案的尺寸比 TO-263 封装的同类产品小 40%。新品可应对目前电磁式断路器对有限空间尺寸的所有要求，且无需复杂的冷却系统即可运行，加速从电磁式断路器向基于半导体的固态断路器（SSCB）的转型。

“随着 UJ4N075004L8S 的推出，Qorvo 将继续领导 SiC 电源产品的创新，以超小型元件封装的超低导通电阻 FET 器件助力电路保护等应用的发展。”Qorvo SiC 电源产品业务产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示，“SSCB 市场正迅速增长，Qorvo 的最新产品是这一技术演进中的重要里程碑。”

Qorvo 的 JFET 器件坚固耐用，能够在电路故障时承受极高的浪涌电流并实现关断，非常适合应对电路保护领域的挑战。其最新款 JFET 还能承受高瞬时结温而不发生性能劣化或参数漂移。JFET 的常开特性使其能无缝集成到默认导通状态的系统中，并在故障条件下转为关断状态。

UJ4N075004L8S 现已提供样品，并将于 2024 年第四季度投入量产；届时，Qorvo 还将推出更多 JFET 产品，包括额定电压为 750V 的 5mΩ 产品和额定电压 1200V 的 8mΩ 产品，均采用 TO-247 封装。获取有关这一变革性电源技术的更多详情及详细产品规格，请访问 Qorvo 电源解决方案网站。