70N10-HG010N10L 高压场效应MOS管TO-252封装 散热好 抗雪崩能力强

2024年06月11日 10:48    发布者：HHZHOUQIN
概述FSMOS®MOSFET基于惠海半导体的器件设计，可实现低功耗RDS（ON）、低栅极电荷、快速切换和优异的雪崩特性。低Vth系列是专门为具有低驱动电压的同步整流系统而优化的。特征RDS（ON）和FOM低低开关损耗卓越的可靠性和一致性快速切换和软恢复应用PD充电器电机驱动器开关电压调节器DC-DC转换器开关电源

网友评论

whuihui 2024年07月16日
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