Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %，有助于减少元器件数量并简化设计

威世科技Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。



日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。

为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 m，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131m*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

竞品对比表：


        产品编号  SiZF4800LDT (新品)  竞品  SiZF4800LDT
  性能改进型
  封装  PowerPAIR 3x3FS  PowerPAIR 3x3FS  　
  尺寸 (mm)  3.3 x 3.3 x  0.75  3.3 x 3.3 x 0.75  -
  配置  对称双通道  对称双通道  -
  VDS (V)  80  80  -
  VGS (V)  ± 20  ± 20  -
  RDS(on) (mΩ) @ 4.5 VGS  典型值  18.5  22  16%
  最大值  23.8  29  18%
  Qg (nC)  @ 4.5 VGS  典型值  7.1  6  -
  FOM  -  131  132  1%
  ID  (A)   最大值  36  26  38%
  RthJC (C/W)  最大值  2.2  4.8  54%


SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产，供货周期为26周。