三星认为High-NA EUV有利于逻辑芯片制造，但存储器或面临成本问题

来源：EXPreview

近日在美国加利福利亚州圣何塞举行的SPIE先进光刻技术会议上，来自光刻生态系统不同部门的专家讨论了Low-NA和High-NA EUV光刻技术的前景，观点从高度乐观到谨慎，特别是High-NA EUV方面，三星表达了担忧。



三星负责存储器生产的研究员Young Seog Kang表示，作为一名用户，更关心的是总成本问题，目前Low-NA已经投入使用，芯片制造商可能更愿意使用Low-NA EUV以双重曝光或采用先进封装技术作为补充，这可能是更经济可行的替代方案，而不是直接使用High-NA EUV来完成。Young Seog Kang认为，逻辑芯片的布局更为复杂，新技术可能在更长时间内适用，而存储器在扩展新技术时，性能和成本方面都存在潜在的挑战。

相比于三星，英特尔对High-NA EUV的前景更为乐观一些。按照英特尔的新计划，将会在Intel 14A工艺引入High-NA EUV，英特尔掩模业务总经理Frank Abboud称，过往在DUV发挥重要作用的相移掩模有望引入到EUV。ASML系统工程总监Jan van Schoot概述了几种提高光刻分辨率和扩展EUV光刻应用的方法，表示正在研发新的光源和其他改进k1的策略，现在已经有了一些新想法。

JSR（光刻胶供应商）的总裁Mark Slezak认为，EUV技术可以持续20年，DUV技术的持续时间也比预期要长得多。