Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗
2024年02月29日 17:44 发布者:eechina
半桥器件采用Trench IGBT技术,可选低VCE(ON)或低Eoff,适用于大电流逆变级威世科技Vishay推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局,与34 mm工业标准封装100%兼容,可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器,包括铁路设备;发电、配电和储电系统;焊接设备;电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125 °C,额定电流下,Eoff仅为1.0 mJ。
模块符合RoHS标准,集电极至发射极电压为650 V,集电极连续电流为100 A至200 A,结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证,可直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。
器件规格表:
产品编号 VCES IC VCE(ON) Eoff 速度 封装
@ IC和 +125 °C
VS-GT100TS065S 650 V 100 A 1.02 V 6.5 mJ DC~1 kHz INT-A-PAK
VS-GT150TS065S 650 V 150 A 1.05 V 10.3 mJ DC~1 kHz INT-A-PAK
VS-GT200TS065S 650 V 200 A 1.07 V 13.7 mJ DC~1 kHz INT-A-PAK
VS-GT100TS065N 650 V 100 A 2.12 V 1.0 mJ 8 kHz~30 kHz INT-A-PAK
VS-GT200TS065N 650 V 200 A 2.13 V 3.86 mJ 8 kHz~30 kHz INT-A-PAK
新型IGBT功率模块现可提供样品并已实现量产,供货周期为15周。