搜索
首页
新闻
新品
文章
下载
电路
问答
视频
职场
杂谈
论坛
工具
在线研讨会
单片机/处理器
FPGA
软件编程/OS
电源技术
模拟电子
PCB设计
测试测量
无源/分立半导体
音频/视频/显示
MEMS
系统设计
消费电子
工业/测控
汽车电子
通信/网络
医疗电子
机器人技术
ST2341S23RG-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2024年01月10日 16:04 发布者:VBsemi
ST2341S23RG (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。
应用简介:ST2341S23RG是一款适用于功率开关和电流控制的P沟道MOSFET,常见于电源管理、稳压和DC-DC变换器等领域模块。
其低导通电阻有助于降低功率损耗。
该文章有附件资料,如需下载请访问
电脑版
。
相关文章
mSiC™ MOSFET技术:卓越的性能和稳健性
人工智能对数据中心基础设施带来了哪些挑战
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
用于系统功率循环的高压侧 MOSFET 输入开关选择
英飞凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET,赋能先进的热插拔技术和电池保护功能