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Si2342DS-T1-GE3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2024年01月10日 15:05 发布者:VBsemi
Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。
应用简介:Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低电压应用的N沟道MOSFET,适用于电源开关、LED驱动和电池管理等领域模块。
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