【射频和无线】HMC815BLC5TR、HMC798ALC4TR、HMC129ALC4TR混频器可用于无线电

1、GaAs MMIC I/Q上变频器，21 - 27 GHz（HMC815BLC5TR）
HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制性能。HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。


规格：RF 混频器 IC 通用 升频器 21GHz ~ 27GHz 32CLCC
射频类型：通用
频率：21GHz ~ 27GHz
混频器数：2
增益：12dB
噪声系数：-
辅助属性：升频器
电流 - 供电：270mA
电压 - 供电：5.5V
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-TFCQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：32-CLCC（5x5）
基本产品编号：HMC815

应用
•点到点及点到多点无线电
•军用雷达、电子战和电子情报
•卫星通信
•传感器

2、HMC798ALC4TR 24 GHz至34 GHz、GaAs、MMIC、次谐波SMT混频器
HMC798ALC4是一款集成LO放大器的24 GHz至34 GHz次谐波(×2) MMIC混频器，采用符合RoHS标准的无铅LCC封装。HMC798ALC4可用作频率范围为24 GHz至34 GHz的上变频器或下变频器。


应用
•微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电
•测试设备
•点对点无线电
•卫星通信(SATCOM)
•军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)

产品特性
单正电源：5 V (97 mA)
转换损耗：10 dB（典型值，24 GHz至30 GHz时），10.5 dB（典型值，30 GHz至34 GHz时）（上变频器）
输入IP3：17.5 dBm（典型值，24 GHz至30 GHz时），20 dBm（典型值，30 GHz至34 GHz时）（上变频器）
2 × LO至RF隔离：36 dB（典型值，30 GHz至34 GHz时）
宽IF带宽：DC至4 GHz
LO驱动电平：4 dBm输入
次谐波2 × LO
符合RoHS标准的24引脚、3.90 mm × 3.90 mm、LCC陶瓷封装

3、HMC129ALC4TR GaAs MMIC双平衡混频器，4至8GHz
HMC129ALC4是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装，在4 GHz至8 GHz工作频段内可用作上变频器或下变频器。HMC129ALC4非常适合需要小尺寸，无需直流偏置和稳定IC性能的应用。该混频器可在9 dBm至18 dBm的宽LO驱动输入范围内工作。用作双相调制器或解调器时性能同样出色。HMC129ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。


优势和特点
转换损耗：7 dB
LO至RF和IF隔离：40 dB
输入IP3：17 dBm
符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装

应用
•微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电
•测试设备
•军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)
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