除了罗姆东芝外，这些国际大厂争相扩大功率半导体产能！

来源：全球半导体观察

近期，日本电子元器件大厂罗姆半导体、东芝发布联合声明称，双方将合作巨额投资3883亿日元（约合27亿美元），用于联合生产功率芯片。这是自罗姆参与以140亿美元收购东芝以来的首次合作。

据悉，双方在功率半导体制造和增加批量生产方面的合作计划已得到日本经济部的支持，双方将共计获得1294亿日元（9.02亿美元，相当于总投资的三分之一）的补贴，以支持其在日本国内的功率半导体的生产。

根据声明显示，罗姆和东芝将分别针对碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件进行密集投资，有效增强其供应能力，并实现互补利用对方的生产能力。其中，罗姆计划将大部分投资2892亿日元用于其主导的SiC（碳化硅）晶圆生产，其计划在九州岛南部宫崎县建造一座新工厂。东芝则计划出资991亿日元，在日本中部石川县建设一座尖端的300mm晶圆制造工厂。

值得注意的是，今年9月21日，东芝就已宣布，由私募股权基金“日本产业合作伙伴”（JIP）牵头的150亿美元要约收购已成功获得超过一半股东的支持，达到了将公司私有化的门槛，这一消息标志着东芝公司的上市历史将在今年画上句号。12月20日，东芝将从东京证券交易所退市。

罗姆则深度参与了东芝私有化过程，此前罗姆决定投资3000亿日元，加入由私募股权公司JIP牵头的将东芝私有化的团队。对此消息，两家公司都强调，合作的考虑已经“有一段时间了”，罗姆对东芝收购的投资并没有成为当前联合计划的推动力。

全球争相布局功率半导体

在功率半导体领域，日本厂商包括东芝、罗姆、瑞萨、三菱电机、富士电机、Resonac在全球都有着较强竞争力，以上厂商近年来争相在功率半导体领域布局。

据悉，罗姆计划在2028年3月底前向SiC注入5100亿日元发展碳化硅产业链。目标是到2030年SiC晶圆产能相比2021年提高35倍，据悉，到2025年罗姆SiC产能将提升6.5倍。

东芝电子在2月份透露，2025年将开始量产碳化硅材料的功率半导体。

瑞萨则将于2025年开始生产使用碳化硅（SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。计划在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂进行量产，但具体投资金额和生产规模尚未确定。

三菱电机今年3月宣布，将在截至2026年3月的时间内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。7月，三菱电机宣布已入股Novel Crystal Technology, Inc.。在以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体逐渐进入产业化并加速放量的阶段，三菱电机为抢占技术先机按下了“快捷键”。

富士电机则从2022年开始增产，其旗下的子公司富士电机津轻半导体的工厂也将引进碳化硅功率半导体的生产线，将于2024年开始量产。

Resonac前身为昭和电工，拥有碳化硅（SiC）外延片全球市场份额的25%。该厂商计划到2026年SiC外延片月产能提升至5万片（直径150毫米），相当于目前产能的五倍左右。

此外，美国、欧洲的几家芯片制造商近期也宣布投资数十亿美元建设新的碳化硅晶圆厂和研发设施，以增加供应。

安森美表示，正在韩国京畿道富川市建设全球最大的碳化硅（SiC）生产设施，目标2024年完成设备安装，使富川市成为全球SiC生产中心。到2025年，富川工厂的SiC半导体年产能预计将达到100万片，将占据安森美总产量的35%至40%。

Wolfspeed在今年2月份表示与采埃孚集团宣布建立战略合作伙伴关系。双方计划建立联合创新实验室，推动碳化硅系统和设备技术在出行、工业和能源应用领域的进步。该战略合作伙伴关系还包括采埃孚一项重大投资，支持在德国恩斯多夫建设世界上最大和最先进的200毫米碳化硅晶圆工厂。6月份有消息称Wolfspeed获得20亿美元融资，资金将用于扩建公司在美国已有的两个碳化硅晶圆生产设施，并为捷豹、路虎等汽车厂商供应碳化硅芯片。

X-FAB则在今年5月份宣布计划扩大其在美国得克萨斯州拉伯克市（Lubbock）的代工厂业务。第一阶段的投资额为2亿美元，以提高该厂区的碳化硅半导体产量，根据市场需求，后续会有更多的投资项目上马。

博世今年9月宣布收购美国芯片制造商TSI Semiconductor，以增强其在美洲的碳化硅供应链。虽然交易条款尚未披露，但博世已承诺向 TSI 罗斯维尔园区投资约 15 亿美元。

意法半导体则透露了将 SiC 晶圆生产引入内部的计划，据称此举将在本世纪末带动 50 亿美元的年收入。