专家认为三星和美光在DRAM内存技术上的差距已几乎消失,内存业即将迎来重大技术变革期

2023年11月27日 11:03    发布者:eechina
来源: THE KOREA DAILY

对占全球市场 70% 以上份额的国内 D-RAM 存储器公司的反击正在加剧。不过,也有积极的论点认为,通过设计和制造模式的转变,D-RAM 可以发展成为一种高价值产品。

TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 在 23 日闭幕的国际半导体制造技术大会(KISM 2023)上说:"在 D-RAM 制造工艺方面,三星电子与世界排名第三的美光公司之间的技术差距几乎已经消失。"KISM 是韩国最大的年度国际半导体会议,讨论最新的半导体研究趋势并预测未来,今年的会议于 19-23 日在釜山天堂酒店举行,来自全球 15 个国家的 800 多人参加了会议。

据 Choi 介绍,美光今年开发出了 LPDDR5(移动用低功耗 D-RAM)的第五代(1b)工艺。据报道,该产品供应给了苹果公司 9 月份发布的 iPhone 15。

当然,三星电子(今年第二季度占 38.2%)和 SK 海力士(占 31.9%)在全球 D-RAM 市场上占有重要地位。美光的份额为 25.8%。"三星在芯片设计、生产、良率和采用极紫外光(EUV)方面仍然领先,"Choi 说,"但美光在收购日本尔必达之后,正在以一种可怕的方式迎头赶上。"

美光采用在美国和日本实验室交替开发新一代 D-RAM 工艺的策略,正在赶超三星。SK hynix 也加入了争夺领导地位的竞争行列,它已开发出 10 纳米第五代 DDR5,并于 5 月份向英特尔发货。

挑战就在眼前。业界预计,D-RAM 超精细工艺将在 10 纳米处遭遇物理极限,目前尚处于 10 纳米早期。因此,各公司为突破 "10 纳米障碍 "展开了激烈竞争,如三维(3D)D-RAM 和 4F²,但它们仍处于早期研究阶段。如果制定了新的技术标准,那么从半导体设计开始,就必然会发生根本性的变化。

专家们认为,K-存储器正处于危机与机遇并存的时刻。存储器半导体历来用于小规模、大规模生产的通用产品,现在正逐渐摆脱系统半导体的辅助作用,成为定制的高价值产品。

"SK hynix 副总裁 Jin Il-seop 告诉《中央日报》:"内存市场即将发生重大转变,我们刚刚开始考虑如何应对,因为客户对性能有不同的需求,比如高带宽内存(HBM)。""他补充说:"计算设备和存储设备之间的门槛正在降低,因此我们正准备迎接存储器半导体的良好机遇。