东科半导体与北京大学成立第三代半导体联合研发中心

来源：大半导体产业网

据东科半导体官微消息，日前，东科半导体与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。

据悉，北大-东科第三代半导体联合研发中心将瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以第三代半导体氮化镓关键核心技术和重大应用研发为核心使命，重点突破材料、器件、工艺技术瓶颈，增强东科半导体在第三代半导体技术上的创新能力和市场主导力。

资料显示，东科半导体作为国内最先研发布局氮化镓芯片研究的企业，国内首创合封氮化镓电源管理芯片，其产品性能指标等同或部分超出国外同类产品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市场广泛认可，实现国产替代。

东科半导体表示，氮化镓芯片将在继续深耕快充等消费电子细分领域市场的同时，进一步拓展进入通信、工业电源、光伏、新能源等众多产业领域，为推进芯片国产化进程不断前行。