东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。



类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）和11mJ（典型值），与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗，用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。

东芝将不断创新，持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

        应用：
工业设备
-        可再生能源发电系统（光伏发电系统等）
-        储能系统
-        工业设备用电机控制设备
-        高频DC-DC转换器等设备

        特性：
-        低漏极-源极导通电压（传感器）：
VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）
-        低开通损耗：
Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）
-        低关断损耗：
Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）
-        低寄生电感：
LsPN＝12nH（典型值）

        主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）

        器件型号  MG250YD2YMS3
  东芝封装名称  2-153A1A
  绝对  漏源电压VDSS（V）  2200
  最大  栅源电压VGSS（V）  -2.5
  额定值  漏极电流（DC）ID（A）  250
  　  漏极电流（脉冲）IDP（A）  500
  　  结温Tch（℃）  150
  　  绝缘电压Visol（Vrms）  4000
  电气  漏极-源极导通电压（传感器）：  ID＝250A、VGS＝＋20V、  典型值  0.7
  特性  VDS(on)sense（V）  Tch＝25℃
  　  源极-漏极导通电压（传感器）：  IS＝250A、VGS＝＋20V、  典型值  0.7
  　  VSD(on)sense（V）  Tch＝25℃
  　  源极-漏极关断电压（传感器）：  IS＝250A、VGS＝－6V、  典型值  1.6
  　  VSD(off)sense（V）  Tch＝25℃
  　  开通损耗  VDD＝1100V、  典型值  14
  　  Eon（mJ）  ID＝250A、Tch＝150℃
  　  关断损耗  　  典型值  11
  　  Eoff（mJ）  　
  　  寄生电感LsPN（nH）  典型值  12
注：
采样范围仅限于双SiC MOSFET模块。数据基于东芝截至2023年8月的调研。
测量条件：ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃
测量条件：VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃
截至2023年8月，东芝对2300V Si模块和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3开关损耗进行比较（2300V Si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估）。

如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：
MG250YD2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html

如需了解东芝碳化硅功率器件的更多信息，请访问以下网址：
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html