东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
2023年08月17日 19:56 发布者：eechina
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标准系统相比，它们集成了更多的器件，需要更多的表贴空间。所以，要进一步缩小汽车设备的尺寸，需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用东芝的新型S-TOGLTM封装（7.0mm×8.44mm），其特点是采用无接线柱结构，将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。
与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM（W）封装产品相比，S-TOGLTM封装与东芝U-MOS IX-H工艺相结合，可实现导通电阻显著降低11%。与TO-220SM（W）封装相比，新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外，采用新型封装的产品可提供200A漏极额定电流，高于东芝类似尺寸的DPAK＋封装（6.5mm×9.5mm）产品，从而实现了大电流。总体而言，S-TOGLTM封装可实现高密度和紧凑布局，缩小汽车设备的尺寸，并有助于实现高散热。
由于汽车设备可能在极端温度环境下工作，因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGLTM封装采用鸥翼式引脚，可降低表贴应力，提高焊点的可靠性。
当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减小特性偏差。
东芝将继续扩展其功率半导体产品线，并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。
应用
- 汽车设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等
特性
- 新型S-TOGLTM封装：7.0mm×8.44mm（典型值）
- 高额定漏极电流：
XPJR6604PB：ID＝200A
XPJ1R004PB：ID＝160A
- AEC-Q101认证
- 提供IATF 16949/PPAP
- 低导通电阻：
XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53mΩ（典型值）（VGS＝10V）
XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型值）（VGS＝10V）
主要规格
新产品 现有产品
器件型号 XPJR6604PB XPJ1R004PB TKR74F04PB TK1R4S04PB
极性 N沟道
系列 U-MOSIX-H
封装 名称 S-TOGLTM TO-220SM（W） DPAK+
尺寸（mm） 典型值 7.0×8.44，厚度＝2.3 10.0×13.0，厚度＝3.5 6.5×9.5，厚度＝2.3
绝对最大额定值 漏极-源极电压 VDSS（V） 40
漏极电流（DC） ID（A） 200 160 250 120
漏极电流（脉冲） IDP（A） 600 480 750 240
结温 Tch（℃） 175
电气特性 漏极-源极导通电阻 VGS＝10V 最大值 0.66 1 0.74 1.35
RDS(ON)（mΩ）
结壳热阻 Tc＝25℃ 最大值 0.4 0.67 0.4 0.83
Zth(ch-c)（℃/W）
注：
典型封装尺寸，包括引脚。
TKR74F04PB采用TO-220SM（W）封装。
东芝可以提供分组出货，每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。
请联系东芝销售代表了解更多信息。
如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
XPJR6604PB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPJR6604PB.html
XPJ1R004PB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPJ1R004PB.html
如需了解东芝车载MOSFET的更多信息，请访问以下网址：
车载MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/automotive-mosfets.html