2 N-通道（双）BUK9K25-40RAX、BUK9K35-60RAX车规级MOSFET器件

概述：
BUK9Kx是耐重复雪崩的ASFET，具有40V至60V最大漏极-源极电压、16ID至40ID漏极电流范围以及7.9QGD栅极-漏极电荷。这些ASFET完全符合汽车级AEC-Q101标准，具有高稳健性和可靠性，采用LFPAK铜夹封装技术。Nexperia耐重复雪崩的ASFET非常适合用于12V、24V和48V汽车系统、重复雪崩拓扑和发动机控制应用。
特性：
完全符合汽车级AEC-Q101标准（+175°C时）
重复雪崩至额定值：+30°C Tj上升
通过10亿雪崩事件测试
LFPAK铜夹封装技术
高稳健性和可靠性
翼型引线，实现高可制造性和AOI

1、BUK9K25-40RAX：MOSFET - 阵列 40V 18.2A（Ta） 32W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：6.3nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：701pF @ 25V
功率 - 最大值：32W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装：LFPAK56D
2、BUK9K35-60RAX：MOSFET - 阵列 60V 22A（Ta） 38W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7.8nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1081pF @ 25V
功率 - 最大值：38W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装：LFPAK56D
应用：
• 12V、24V和48V汽车系统
• 重复雪崩拓扑
• 引擎控制
• 传动控制
• 执行器和辅助负载
明佳达电子有限公司/星际金华（供应、回收）2 N-通道（双）BUK9K25-40RAX、BUK9K35-60RAX车规级MOSFET器件，如有兴趣，请联系陈先生qq 1668527835 咨询。