TIF2023泰克创新论坛圆满落幕，6大关键词概括领先测试方案

泰克科技以“启智未来、测试为先”的TIF2023年度大会日前圆满落幕，本次大会探讨了未来科技发展的趋势和前沿技术，并展示了最新的技术和测试测量解决方案，分享了公司未来的发展战略和愿景。

新一轮科技革命和产业变革蓬勃发展，泰克从未停止创新步伐。颠覆性的科技突破也许百年才得一遇，持续性的迭代创新则以日进一寸的累积改变着日常生活。从先进材料、研发生产、智造到应用的全产业链各个环节中，处处可见泰克的身影。泰克在三代半导体领域为客户提供丰富的晶圆参数测试、芯片参数测试、可靠性测试等各个领域的解决方案，并积极与本土厂商合作，为国内客户提供本土化技术解决方案。同时，泰克聚焦智能座舱、自动驾驶和汽车三电领域，为客户提供安全、可靠和高效的智慧出行测试解决方案等等。

围绕半导体晶圆级测试、汽车电动化和智能化测试，聚焦6大关键词，囊括了泰克近两年的领先测试解决方案。

碳未来，汽车电动化和智能化趋势加速

碳未来——在国家“双碳”战略下，汽车电动化和智能化趋势加速，截至2022年新能源汽车渗透率已经超过25%。泰克致力于成为智能汽车测试的领跑者，走在行业发展趋势前沿，聚焦智能座舱、自动驾驶和汽车三电领域，持续投入和专注于智能汽车测试的关键测试点，为客户提供安全、可靠和高效的智慧出行测试解决方案。

关键词1：芯能量
——800V电驱系统整车实现难点及未来发展趋势

在国家“双碳”战略下，油电切换提速，截至2022年新能源汽车渗透率已经超过25%，但里程焦虑和充电速度慢的问题依然困扰着行业发展，基于SiC为代表的三代半导体功率器件而开发的800V超充架构给行业指明了新的发展方向。讨论热点包括：
        800V电驱系统的整车实现及需求特点
        未来800V系统发展趋势
        800V架构下所面临的相关测试挑战（EMC测试、短路测试及串扰等）

关键词2：芯挑战
——800V架构下SiC测试挑战

新能源汽车800V新架构发展趋势下，SiC已经成为必需选择的新型功率器件，泰克带您从测试的角度来看宽禁带技术带来的诸多挑战，例如：
        如何筛选不同厂家的SiC器件及必要性
        如何解决目前宽禁带器件应用测试和驱动测试的难题
        如何能充分发挥SiC器件的性能等

泰克针对性的测试解决方案覆盖了从半导体材料、生产、可靠性、到电源设计应用的全流程，帮助客户用好宽禁带技术，推动社会进步。

关键词3：芯速度
——智能网联汽车高速总线应用测试

智能网联汽车的核心是新一代电子电气架构，在新的架构下高速总线的应用越来越广泛，如何准确的测试和评估这些高速总线也变得愈发有挑战。在此章节，您不仅可以了解到泰克针对以下车载高速总线应用的对应解决方案，还可以了解到泰克在实际场景中的一些应用案例分享：
        车载以太网1000BASE-T1测试方案
        MIPI D-PHY及C-PHY传感接口测试方案
        PCIe Gen4/5外设接口及车内SERDES测试方案等

此外，泰克还可提供各类高速接口的测试建议和白皮书以及丰富的调试工具，帮助工程师加速了解掌握各类高速接口测试、应对复杂车载环境、建立自主测试和验证能力，助力新一代电子电气平台在智能网联汽车的不断升级。

第三代半导体，解决客户功率器件表征的疑难问题

关键词4：晶圆级测试

为晶圆级测试领域提供整体性解决方案，降低客户成本以提高竞争力。PT-930 可用于12寸、8寸晶圆的全自动探针台，来自矽电-泰克先进半导体晶圆测试联合实验室。
        支持最高3000V/100A的高压及大电流测试
        探针系统测试漏电流<100pA@1000V
        支持高温测试，温度可达200°C
        静态测试最高电压3000V，动态测试最高电压2000V
        支持铁环，蓝膜，华夫盒，Tap Reel等进出料方式

关键词5：动态参数测试

DPT1000A 半导体功率器件动态参数测试系统专门用于针对三代半导体功率器件的动态特性分析测试，旨在解决客户在功率器件动态特性表征中常见的疑难问题。
        定制化系统设计 , 丰富的硬件配置和高灵活性的驱动电
        自动化测试软件，可以自动配置参数，测试和生成数据报告
        高带宽/高分辨率测试设备 , 在高速开关条件下准确表征功率器件
        覆盖高/中/低压、pmos、GaN 等不同类型，不同封装芯片测试
        可以提供单脉冲、双脉冲、反向恢复、Qg等测试功能

关键词6：动静态综合老化测试

HTXB-1000D 功率器件动静态综合老化测试系统，用于批量SiC/GaN 器件老化测试，研究其典型参数在不同压力条件下的变化特性，帮助客户了解器件可靠性相关信息并表征老化特性。
        可并行进行最多80片SiC/GaN器件的动态老化测试
        可替换的多种老化夹具，可以适配不同封装器件的测试要求
        静态电压最高1200V，动态测试电压最高1000V
        可以进行1000 小时以上的连续测试
          实时保存测试结果，并自动生成测试报告

目前，八个地区的活动注册均已开放。2023 TIF 课程届时将开启远程在线直播，注册即可免费参会。活动视频及相关资源将一直开放至本日历年结束，为注册参会人员提供一个可以持续访问的资源库，促进其在电子行业的职业发展。