碳化硅MOS管国产从650V-1200V-1700V-3300V，后续推出6500V。
2023年06月20日 12:16 发布者：Eways-SiC
碳化硅MOS管国产从650V-1200V-1700V-3300V，后续推出6500V。282619拥有全自主知识产权，已申请40项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品。
网友评论
Eways-SiC 2023年06月29日
国产SICMOS拥有全自主知识产权
国产SICMOS拥有全自主知识产权
Eways-SiC 2023年08月02日
碳化硅MOS耐压650V-3300V和SiC模块产品简介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取码x913
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Eways-SiC 2023年09月11日
6500V 耐压 牛
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Eways-SiC 2023年10月21日
国产SICMOS 顶起
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Eways-SiC 2023年11月13日
碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html
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Eways-SiC 2023年12月13日
国产SICMOS 牛
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Eways-SiC 2024年01月09日
有碳化硅MOS晶圆:handshake
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Eways-SiC 2024年02月18日
碳化硅MOS单管、晶圆芯片，全SiC 模块
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Eways-SiC 2024年06月28日
3300V 高压MOS:victory:
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Eways-SiC 2024年10月09日
碳化硅MOS驱动设计及SiC栅极驱动器示例 - 模拟电子技术 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
碳化硅MOS驱动设计及SiC栅极驱动器示例 - 模拟电子技术 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
碳化硅MOS要推出6500V