恩智浦与台积电合作推出业内首款16nm FinFET车用嵌入式MRAM

来源：大半导体产业网

据报道，日前，恩智浦半导体与台积电宣布合作，并推出业界首款采用16nm鳍式场效电晶体（FinFET）技术的车用嵌入式磁阻式随机存取存储器（Magnetic Random Access Memory；MRAM）。

恩智浦介绍称，MRAM仅需约3秒就能更新20MB的代码，能最大限度缩短软件更新导致的停机时间，并让汽车制造商消除因长时间模组编程而造成的瓶颈。此外，MRAM还能提供高达百万次的更新周期，较NAND Flash和其他新兴存储器技术高出10倍，为车辆任务剖面（mission profile）提供高度可靠的技术。

台积电16 FinFET嵌入式MRAM技术凭借其百万周期耐用度、支援焊锡回焊、以及摄氏150度下还能保留数据达20年，超越车载应用严格要求。

恩智浦半导体执行副总裁暨车用处理事业部总经理Henri Ardevol表示：恩智浦与台积电已合作数十年，MRAM是恩智浦S32车用解決方案系列的突破性新生力军，支援下一代车辆架构。