碳化硅MOS管电压650V-1200V-1700V-3300V,电流5A-150A 。

2023年02月17日 17:19    发布者:Eways-SiC
SiCMOS管国产实现电压650V-3300V,电流5A-150A 。276206       碳化硅(SiC)现在作为一种成熟的技术,在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业,覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅(Si)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用具有更多优势,包括更高的开关频率,更低的工作温度,更高的电流和电压容量,以及更低的损耗,进而可以实现更高的功率密度,可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件,热管理和电源组件现在尺寸更小,重量更轻,成本更低,从而降低了总 BOM 成本,同时也实现了更小的占用空间。

该文章有附件资料,如需下载请访问 电脑版

网友评论

Eways-SiC 2023年02月24日
SiCMOS管国产实现电压650V-3300V,电流5A-150A
Eways-SiC 2023年02月28日
国产碳化硅MOS管 首家能大批量供货的
Eways-SiC 2023年03月01日
SIC MOS好产品 前途无量
Eways-SiC 2023年03月09日
SiCMOS管国产实现电压3300V
Eways-SiC 2023年03月13日
SICMOS管车载OBC,光伏逆变,风能等新能源行业大量采用
Eways-SiC 2023年03月17日
碳化硅(SiC)现在作为一种成熟的技术,在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业,覆盖工业、能源和汽车等众多领域。
Eways-SiC 2023年04月01日
国产碳化硅MOS管车载OBC,光伏逆变,风能等新能源行业大量采用
Eways-SiC 2023年04月10日
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
Eways-SiC 2023年05月09日
碳化硅MOS具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
Eways-SiC 2023年06月27日
碳化硅MOS管后续推出6500V。
Eways-SiC 2023年07月24日
通过IATF16949、ISO9001等质量体系和第三方AEC-Q101产品可靠性认证。
Eways-SiC 2023年08月23日
3300V批量了
Eways-SiC 2023年09月18日
实现电压650V-3300V,电流5A-150A
Eways-SiC 2023年10月18日
本文地址:https://www.eechina.com/thread-810886-1-1.html
Eways-SiC 2023年11月09日
AEC-Q101认证 好
Eways-SiC 2024年01月12日
新品有单管达到200A的,1200v内阻9.8毫欧
Eways-SiC 2024年02月18日
碳化硅MOS单管、晶圆芯片,全SiC 模块
Eways-SiC 2024年03月27日
碳化硅MOS管-SiC MODULE产品技术应用简介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取码g4yd
国产碳化硅MOS电压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A