东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件

2023年02月07日 17:48    发布者:eechina
小型高边和低边开关(8通道)

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用(如工业设备的可编程逻辑控制器)中使用的感性负载的驱动。高边开关(8通道)“TPD2015FN”和低边开关(8通道)“TPD2017FN”从今日开始出货。



新产品使用东芝的模拟器件整合工艺(BiCD),实现0.4Ω(典型值)的导通电阻,比东芝现有产品低50%以上。TPD2015FN和TPD2017FN均采用SSOP30封装,其贴装面积是现有产品所用SSOP24封装的71%左右,高度是SSOP24封装的80%,同时引脚间距缩小到0.65mm。这些改进有利于缩小设计尺寸。

新产品的最高工作温度是110℃,高于现有产品的85℃,支持工作温度更高的应用。此外,两款新产品还内置过流保护和过热保护电路,有助于提高设计的可靠性。

        应用:
-        工业可编程逻辑控制器
-        数控机床
-        变频器/伺服器
-        IO-Link控制设备

        特性:
-        内置N沟道MOSFET(8通道)和控制电路的单芯片IC
(高边开关TPD2015FN具有内置电荷泵。)
-        采用小型SSOP30封装,贴装面积相当于SSOP24封装的71%左右
-        内置保护功能(过热、过流)
-        高工作温度:Topr(最大值)=110℃
-        低导通电阻:RDS(ON)=0.4Ω(典型值)@VIN=5V,Tj=25℃,IOUT=0.5A

        主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)


       器件型号  TPD2015FN  TPD2017FN
  封装  SSOP30
  绝对最大额定值  供电电压VDD(V)  -0.3至40.0  -0.3至6.0
  输入电压VIN(V)  -0.3至6.0
  VDDx-OUTx耐压VDSS(V)­­  50  –
  输出耐压VOUT(V)  –  50
  输出电流IOUT(A)  内部限制
  功率耗散PD(W)  1.8
  工作温度Topr(℃)  -40至110
  结温Tj(℃)  150
  储存温度Tstg(℃)  -55至150
  工作范围  工作供电电压VDD(opr)(V)  @Tj=25℃  8至40  2.7至5.5
  电气特性  导通电阻RDS(ON)典型值(Ω)  @VDD=12V(TPD2015FN)  0.4
  /5V(TPD2017FN),
  VIN=5V,
  IOUT=0.5A,Tj=25℃
  输出数量  8
  保护功能  热关断
  过流保护
  库存查询与购买  在线购买  在线购买


注:
双极CMOS-DMOS
东芝现有产品:TPD2005F和TPD2007F
SSOP30封装:9.7mm×7.6mm×1.2mm(典型值)
SSOP24封装:13.0mm×8.0mm×1.5mm(典型值)

如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:
TPD2015FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD2015FN.html
TPD2017FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD2017FN.html

如需了解TPD2017FN的应用信息,请访问以下网址:
TPD2017FN应用说明
https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=143320

如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问以下网址:
TPD2015FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPD2015FN.html
TPD2017FN
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPD2017FN.html