IMZ120R140M1H(19A)IMW120R007M1H(225A)碳化硅MOSFET

2022年08月16日 09:26
产品规格

1、参数:IMZ120R140M1HXKSA1 (IMZ120R140M1H)
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):182 毫欧 @ 6A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):13 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):454 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):94W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO247-4-1
封装/外壳:TO-247-4
基本产品编号:IMZ120
2、参数:IMW120R007M1H (IMW120R007M1HXKSA1)
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.9 毫欧 @ 108A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):220 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9170 nF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):750W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO247-3
封装/外壳:TO-247-3


产品概述
英飞凌CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势。


应用领域
不间断电源(UPS)
电池化成
电动汽车快速充电
电机控制和驱动
太阳能系统解决方案
明佳达电子/星际金华 供求IMZ120R140M1H(19A)IMW120R007M1H(225A)碳化硅MOSFET。
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