IMZ120R140M1H,IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅 MOSFET 单管 晶体管

2022年08月15日 14:55
IMZ120R140M1H,IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅 MOSFET 单管 晶体管

采用TO247-4封装的1200 V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET
IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此,CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

特征:
一流的开关和导通损耗
基准高阈值电压,Vth > 4 V
0V关断栅极电压,简单轻松地进行栅极驱动
栅源电压范围宽
损耗低且牢固的体二极管,可用于硬换向
开关关断损耗不受温度影响
驱动源引脚,优化开关性能

优势:
最高效率
减少了冷却工作
提高了操作频率
增加了功率密度
降低了系统的复杂程度

应用:
不间断电源(UPS)
电动汽车快速充电
太阳能系统解决方案

规格:
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):182 毫欧 @ 6A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):13 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):454 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):94W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO247-4-1
封装/外壳:TO-247-4
基本产品编号:IMZ120

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