IMZ120R140M1H，IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅 MOSFET 单管 晶体管

IMZ120R140M1H，IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅 MOSFET 单管 晶体管

采用TO247-4封装的1200 V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET
IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

特征：
一流的开关和导通损耗
基准高阈值电压，Vth > 4 V
0V关断栅极电压，简单轻松地进行栅极驱动
栅源电压范围宽
损耗低且牢固的体二极管，可用于硬换向
开关关断损耗不受温度影响
驱动源引脚，优化开关性能

优势：
最高效率
减少了冷却工作
提高了操作频率
增加了功率密度
降低了系统的复杂程度

应用：
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
太阳能系统解决方案

规格：
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:182 毫欧 @ 6A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:13 nC @ 18 V
Vgs（最大值）:+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：454 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）：94W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-4-1
封装/外壳：TO-247-4
基本产品编号：IMZ120

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