带有防堵转功能四通道 DMOS 全桥驱动MS35631参数与替代TB62261FTAG

MS35631描述MS35631 是一款四通道 DMOS 全桥驱动器，可以驱动两个步进电机或者四个直流电机。每个全桥的驱动电流在 24V 电源下可以工作到1.2A。MS35631 集成了固定关断时间的 PWM 电流校正器，以及一个2bit 的非线性 DAC（数模转换器），可以工作在全步进，半步进，四分之一步进，正转，反转以及待机模式。PWM 电流校正器使用混合衰减模式，可以减小音频电机噪声，提高步进精度以及降低功耗。芯片还内置内部同步整流控制电路以降低 PWM 工作时的功耗。芯片集成的保护电路有热关断迟滞，低压关断保护(UVLO)以及翻转电流保护，因此可以不需要特定的电源启动次序。主要特点四通道全桥双步进电机驱动大电流输出3.3V 和 5V 逻辑同步整流内置 UVLO过热保护翻转保护防堵转应用安防监控舞台灯玩具机器人技术医疗设备封装图https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/67c5a29297f34fd99e06d8eb254a1bb8~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=1YFo%2BjtQkRQTgxyJLiXg1q6KPTA%3D

管脚图https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/022aaf91b9ed4b2a83333fee30789603~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=yIFaTkgpEprw6HxYYf8Z0gdOzco%3D

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管脚说明图https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/e070fcde9fa34385bd894fc5a42ccaa9~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=7bRPY8Stl1Z667%2BLoR%2B1KsakdrI%3D

内部框图https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/cddef2c2bb70463c8cfcc28e5e25039f~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=ShW9Tlm3UmIjvvNoCJ5DfuVcHjw%3D

电气参数https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/bd1c2325515447dbb67ba0ce27c837e6~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=BOKFvrW9lLiUHZfYa1GG4jbftck%3D

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功能描述器件特性MS35631 可以驱动两个步进电机或四个直流电机，也可以驱动一个步进电机加两个直流电机。输出 H 全桥为四个 N 型 DMOS 驱动管，受控于脉动宽度调制电路(PWM)。每个 H 全桥的输出峰值电流由 Rsensex 和 Vrefx 共同决定。输入脚包括 PHASEX，I0x，I1x。内部 PWM 电流控制原理每个 H 全桥带有固定衰减时间的 PWM 电流控制电路，使得负载电流不超过设定值 ITRIP。初始时，H 桥对角的一对源漏 DMOS 驱动管打开，电流流入电机和电路检测 Rsense 电阻。当 Rsense 上的电压等于 VREF 端口电压的三分之一时，电流检测比较器重置 PWM 锁存器，关断源端 DMOS 驱动管。最大电流限制由 Rsense(Rs)电阻大小以及 VREF 端的电压共同决定，最大电流公式如下：ITripMax=VREF /(3*Rs)每个步进电流限制 ITrip 都是最大电流限制 ITripMax 的百分比。步进电流 ITrip 的计算公式：ITrip =(% ITripMax /100)* ITripMax其中% ITripMax 见步进次序表。另外注意，应用中 Rsense 上的最大电压值不要超过±500mV。固定关断时间内部的 PWM 控制电路集成一固定时间脉冲来关断驱动器，关断时间 toff 内置为 9us。无效时间在内部电路控制使得输出发生变化时，此功能可以关断输出电流检测比较器，以防止输出误检测，比如说过冲电流，嵌位二极管的反向恢复电流，输出电容引起的反向传输等等。无效时间设置为 1us。控制逻辑器件与控制器的通信通过标准的 I1，I0，PHASE 工业接口，通过控制，可以实现全，半与四分之一步长模式。每个 H 桥设置了独立的 VREF 脚，所以通过动态地控制 VREF 脚，可以得到更高精度的步长控制。电荷泵（CP1 与 CP2）电荷泵电路产生一个比 VBB 高的电源来驱动 H 桥的源端 DMOS 管。应用中由于充放电的需要，CP1 与 CP2 间需要接一个 0.1uF 的陶瓷电容。VCP 与 VBBx 之间也需要接一个 0.1uF 的陶瓷电容来存储电荷。保护功能集成完备的保护功能，包括过温保护，欠压保护，过流保护。MS35631 集成了过流保护功能，能够检测输出对电源，对地，以及输出间短路。当检测到短路时间超过 0.8us 时，芯片将输出关闭，关闭 10ms 后，芯片会尝试自动重新开启。同步整流当内部固定衰减时间电路触发，PWM 关断起作用时，负载电流会产生回流。MS35631 同步整流电路在电流衰落的过程中，会打开相应的 DMOS 管，用 Rdson 电阻来短接寄生体二极管，可以有效降低功耗。当检测到零电流时，同步整流被关断以防止负载电流反向。混合衰减模式H 桥工作在混合衰减模式；如下图所示，当电流达到限流值时，进入快速衰减模式，持续时间为整个衰减模式的 30.1%(tFD)；然后系统进入慢速衰减模式。在快衰减与慢衰减转换期间，驱动器会被关断 600ns（死区时间），此设置可以有效防止桥穿通现象。如下图 1 图 2 所示，在死区时间，同步整流不再起作用，芯片只工作在快速和慢速衰减模式下。https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/adf7651485d0489c8cf6c09adead142f~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=%2Bgytew5ME9eKHiokfvspamJH%2F0o%3D

步进相序设置https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/f262c94b2cca4e4e80efc32c2dce509c~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=ljy4%2FAsvx58XTyKTwGRu6r4cTPk%3D

典型应用图https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/066108259c3b4a5dbb1f145ed4441ad3~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=4WjcZFiQwZ4yDx7JTSpcRBni1Es%3D

直流电机控制芯片集成四路 H 桥驱动，毎路都设置了独立的 PWM 电流控制电路，所以也可以驱动四个直流电机。应用中可以通过 VREF 脚设置最大电流，使用 PWM 信号控制 I0x，I1x，phasex 脚来控制电机的正转，反转，待机。版图制作印刷电路板需要使用厚地板。为了获得更好的性能与散热，MS35631 最好能直接焊接在板上。在 MS35631 的背面是金属散热片，直接焊在 PCB 外露板上可以将热量发散到其他层。版图地线为了减小地电位漂移问题，须在 PCB 板中靠近芯片的位置设置一个单点低阻的特殊地线。一般地，MS35631 的散热片与 PCB 板的接触地线位置是理想的特殊地线位置。低阻的特殊地线可以有效防止地电平漂移和保证电源电压的稳定性。下图是一个示意图，说明如何在芯片的底部设置特殊的地线，既当做低阻地接触，同时接到散热片。https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-qvj2lq49k0/0b2c8fe160214306a0ad1cbb8f41b701~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659958108&x-signature=ddf8qFMwtLBu5piqDGQ6BL6MW1g%3D

SENSE 脚设置Sense 脚电阻 RSx 必须通过一个低阻的通路到地线，因为 RSx 会流过大电流，并且产生精确的反馈电压到 sense 比较器。长的地线会产生额外电阻，形成不确定的电压降，降低 sense 比较器精度。当选择 sense 电阻时，注意保证工作中 sense 脚的电压不要超过正负 500mV。