pSemi宣布首款毫米波波束形成器和上下变频转换器IC套片实现量产

高度集成的IC套片可通过设计支持软件轻松实现加速系统开发进度并提升系统性能

日前在国际微波研讨会上，村田旗下专注于半导体集成技术的pSemi Corporation宣布两款新型毫米波集成电路（IC）已进入量产准备阶段，这两款IC适用于5G基站、5G客户端设备以及点对点无线电通信应用中的有源天线系统。除了8通道波束形成前端和双通道上下变频转换器IC套片之外，pSemi还提供完整的工具和专业技术支持包，有助于简化毫米波设计和开发。新款RF SOI IC套片是我们毫米波产品组合中的最新成员，这组业界最小尺寸的IC套片能够提供n257、n258以及n260频段的完整IF（中频）至RF（射频）解决方案。


新款毫米波IC套片适用于5G基站、5G客户端设备，以及点对点无线电通信应用中的有源天线系统。

5G毫米波波束形成器和上下变频转换器IC套片

pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary表示：“随着n257频段在全球成为5G主流频段，pSemi非常乐于推出一系列毫米波产品和设计工具来支撑市场对这一频段不断增长的需求。pSemi在高频半导体创新和制造方面历史悠久，在毫米波解决方案领域拥有深厚的专业知识，且设施齐备，能够打造性能和质量方面均值得客户和合作伙伴信赖的毫米波解决方案。”
欢迎浏览更多精彩内容，或点击查看关于波束形成器和上下变频转换器的产品介绍。

波束形成器和上下变频转换器IC的功能及优势

PE188200波束形成器IC（n257频段）和PE128300上下转换器IC（n257、n258频段）拥有一系列功能及优势，可为5G FR2系统设计人员提供极大的便利，其功能及优势包括：
•        最小的每通道设计尺寸——单片集成式RF SOI IC具有业界最小的尺寸，无需额外布线即可轻松用于构建大型阵列。
•        完整的IF至RF设计覆盖范围——上下变频转换器可以与多达四个pSemi波束形成器配对，以支持大规模MIMO、混合波束形成和其他有源天线配置。

此外，PE188200 8通道波束形成器IC能够提供：
•        灵活的天线设计——8通道波束形成器IC支持4个双极化或8个单极性天线单元，以及扩展配置，以实现最佳阵列增益、等效全向辐射功率（EIRP）和天线方向性。
•        波束形成精确度——所需EVM下的线性POUT具有低RMS相位和幅度误差，可提高阵列增益和天线方向性，确保波束形成精确度。

PE128300双通道上下变频转换器IC能够提供：
•        高度集成的解决方案——业界首款双通道上下变频转换器拥有最精致小巧的尺寸，能够节省昂贵的空间。
•        低功耗——业界一流的上下变频转换器IC低功耗性能，支持更高效的系统散热管理。
•        最大限度降低系统性能损害——最佳I/Q平衡和最小本振泄漏有助于提高EVM性能。

完整的毫米波控制软件

除了样品和评估套件（EVK）之外，pSemi还提供包含软件工具和技术专业知识在内的完整支持包，帮助客户快速熟练应用我们的波束形成器IC、上下变频转换器IC或两者的阵列组合。
•        图形用户界面（GUI）——软件GUI能够确保寄存器编程的正确操作，以达成高效的代码实现。
•        API集成——我们的GUI和API集成，能够帮助您跨通道优化性能。通过在客户特定代码中嵌入pSemi软件，有助于加快软件开发和演示。
•        全面的用户手册——每款产品均提供全面的用户手册，其中包含寄存器编程要求和操作细节。

pSemi技术和质量优势

从样机到批量出货，pSemi提供的毫米波支持包中融合了公司在过去30多年积累的高频半导体专业知识，具有能够提供高性能、高集成和高可靠性支持的优势。
•        RF SOI创新——基于30多年的射频集成电路（RFIC）设计创新，以及在经验丰富的技术专家的支持下，能够在业界最小的外形尺寸中实现最高水平的集成。
•        专利和知识产权——作为RF SOI技术发明者，拥有1000多项专利，坚持致力于推动高频半导体器件性能的发展。
•        质量和可制造性——由深受业界信赖的供应商村田公司提供支持，村田在满足最高可靠性和质量标准的大批量制造方面拥有成熟的经验。

更多信息

这些分立的RFIC作为村田天线集成模块的一部分，于2022年6月21日至6月23日在pSemi IMS #7078号展位上进行展示。

欲了解有关波束形成器和上下变频转换器RFIC的更多信息，请联系pSemi团队。