东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。



与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性之间的平衡，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。

与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。

        应用：
-        通信设备电源
-        开关电源（高效率DC-DC转换器等）

        特性：
-        优异的低损耗特性（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡）
-        卓越的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V
-        高额定结温：Tch（最大值）＝175℃

        主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝25℃）

        器件型号  TPH9R00CQH
  绝对最大  漏源电压VDSS（V）  150
  额定值  漏极电流（直流）  @Tc＝25℃  64
  　  ID（A）
  　  结温Tch（℃）  175
  电气特性  漏源导通电阻  @VGS＝10V  9
  RDS(ON)最大值（mΩ）  @VGS＝8V  11
  总栅电荷（栅极-源极＋栅极-漏极）  44
  Qg典型值（nC）
  栅极开关电荷Qsw典型值（nC）  11.7
  输出电荷Qoss典型值（nC）  87
  输入电容Ciss典型值（pF）  3500
  封装  名称  SOP Advance  SOP Advance（N）
  尺寸典型值（mm）  5.0×6.0  4.9×6.1
  库存查询与购买  在线购买


注：
截至2022年3月的东芝调查。
栅极开关电荷和输出电荷。
与现有产品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。

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TPH9R00CQH
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MOSFET
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G2模型
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TPH9R00CQH
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