Littelfuse SPxxR6瞬态抑制二极管阵列可保护超高速数据线免受低电压瞬态尖峰影响

新产品是保护USB 4.0和其他用于移动和便携式消费电子产品数据通信接口的理想选择

Littelfuse公司 推出全新SP33R6系列四通道、低电容（0.2pF）的瞬态抑制二极管阵列。 这些功能强大的二极管可提供极低的击穿/导通电压，是低电压（- 0.3～+0.3V）高速数据线的理想保护元件。 它可以安全吸收高于IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8kV接触放电）重复性ESD放电，且性能不会下降。


SP33R6-04UTG瞬态抑制二极管阵列


SP00R6-01WTG瞬态抑制二极管阵列

SPxxR6瞬态抑制二极管阵列是用于消费电子产品各种数据通信接口的理想选择，其中包括：

•        USB 3.2和4.0，
•        Thunderbolt 3.0和4.0，
•        PCI Express 6.0。

Littelfuse二极管阵列产品营销经理Zhu Jia 表示：“众所周知，USB 4.0供应商的芯片组特别容易受到超过3.3V电压的损害。“SP33R6和SP00R6瞬态抑制二极管阵列系列，为保护USB4.0等高速接口免受重复ESD冲击提供了独特的解决方案。”

Jia还补充说：“使用可能已经在电路板上的多线封装尺寸（SP33R6）或0201-封装（SP00R6），设计工程师可以获得比目前市场上现有解决方案低十倍的穿越电压（Pass-through voltage）。”

SPxxR6具有以下关键优势：

•        符合ESD抑制和雷击电涌保护的众多IEC标准，包括IEC 61000-4-2，±12kV接触放电，±15kV空气放电；浪涌容差，3A（8/20μs）IEC 61000-4-5第2版。
•        提供四个通道，每个I/O具有0.2pF低电容，可保护超高速接口。
•        环保型元件，无卤素、无铅，并符合RoHS标准。

作用机制

问题：随着基带芯片组变得更小、更复杂，这些领先的半导体器件也更容易受到过压情况的损害。 大多数超高速信号接口需要在低电压条件下工作，标称电压为0.3V甚至更低。 电压过高会导致连接接口损坏。

解决方案：SPxxR6系列的较低击穿（二极管开启）电压有助于保护接口免受可能损坏电子系统的低电压瞬态尖峰影响。 例如，SPxxR6可保护小至13纳米的接口免受高于3.3V的电压影响。 其结果是带来更快速的保护，同时通过使用雪崩二极管技术提供更低的箝位和击穿电压。

供货情况

SPxxR6提供卷带包装，起订量为1,000只。 样品可向世界各地的Littelfuse授权经销商索取。 如需了解Littelfuse 授权销商名单，可访问 Littelfuse.com。

更多信息

可通过以下方式查看更多信息： SP33R6 和 SP00R6 瞬态抑制二极管阵列页面。 如有技术问题，请联系：二极管阵列产品营销经理Zhu Jia 。