Microchip持续扩大氮化镓(GaN)射频功率器件产品组合

2021年12月02日 15:26
全新单片微波集成电路(MMIC)和分立器件,可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布大幅扩展其氮化镓(GaN)射频(RF)功率器件产品组合,推出频率最高可达20千兆赫(GHz)的新款单片微波集成电路(MMIC)和分立晶体管。这些器件同时具备高功率附加效率(PAE)和高线性度,为5G、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的性能水平。



与所有Microchip 的GaN射频功率产品一样,新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造,提供了高功率密度和产量的最佳组合,可在高压下运行,255℃结温下使用寿命超过100万小时。

这些产品包括覆盖2至18 GHz、12至20 GHz、3 dB压缩点(P3dB)射频输出功率高达20W、效率高达25%的12至20 GHz的氮化镓MMIC;用于S和X波段、PAE高达60%的裸片和封装氮化镓MMIC放大器,以及覆盖直流至14 GHz、P3dB射频输出功率高达100W,最大效率为70%的分立高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。

Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示:“Microchip持续投入打造GaN射频产品系列,以支持从微波到毫米波长所有频率的各种应用。我们的产品组合包括从低功率水平到2.2千瓦的50多种器件。今天宣布推出的产品跨越了2至20 GHz,旨在解决5G和其他无线网络采用的高阶调制技术带来的线性度和效率挑战,以及满足卫星通信和国防应用的独特需求。”

除GaN器件外,Microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓(GaAs)射频放大器和模块、低噪声放大器、前端模块(RFFE)、变容二极管、肖特基和PIN二极管、射频开关和电压可变衰减器。此外,公司还提供高性能表面声波(SAW)传感器和微机电系统(MEMS)振荡器以及高度集成的模块。这些模块将单片机(MCU)与射频收发器(Wi-Fi® MCU)相结合,支持从蓝牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短程无线通信协议。

开发工具
Microchip及其分销合作伙伴均提供电路板设计支持,帮助客户进行设计。此外,公司还为该款全新GaN产品提供紧凑型模型,让客户能够更容易建立性能模型,加快系统中功率放大器的设计。

供货
今日发布的器件(包括ICP0349和ICP0349PP7)以及其他Microchip射频产品均已投入量产。如需了解更多信息,请联系Microchip销售代表或访问Microchip网站。如需购买Microchip GaN产品,请联系Microchip授权分销商。