8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT可替换IS61WV51216EEBLL-10B2I

2021年07月21日 16:06
ISSI IS61WV51216EEBLL是高速和低功耗、8M位SRAM。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造,并实现了ECC功能以提高可靠性。

这种高度可靠的工艺与包括ECC(SEC-DED:单纠错-双纠错)在内的创新电路设计技术相结合,可产生高性能和高度可靠的设备。通过使用芯片使能和输出使能输入提供轻松的内存扩展。有效的低写入使能(WE#)控制存储器的写入和读取。采用标准44引脚TSOP(TYPEII)封装。EMI国产SRAM厂家EMI508NL08VM-55IT可替换IS61WV51216EEBLL-10B2I。

8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽1MX8bit,电源电压为2.7V~3.6V,支持工业温度范围和芯片级封装,以实现系统设计的用户灵活性。该系列还支持低数据保留电压1.5V(Min.),用于以低数据保留电流进行电池备份操作。采用标准44TSOP2封装形式。

特征
●工艺技术:90nmFullCMOS
●组织:1MX8bit
●电源电压:2.7V~3.6V
●低数据保持电压:1.5V(Min.)
●三态输出,TTL兼容
●数据字节控制(x8模式)。
●标准44TSOP2,48FBGA封装。
●工业工作温度