三星推 8nm 射频芯片制程，抢攻 5G 领域

来源: IT之家

三星电子上周高调宣布开发出 8nm 射频（RF）芯片制程技术，希望抢攻 5G 领域晶圆代工订单。

据悉，三星开发了一种独特的 8nm 射频专用架构，名为 RFextremeFET (RFeFET)，可以显着改善射频特性，同时使用更少的功率。

与 14nm RF 相比，三星的 RFeFET 补充了数字 PPA 缩放并同时恢复了模拟 / RF 缩放，从而实现了高性能 5G 平台。此外，新的 8nm RF 芯片可提高 35% 的效率且减少 35% 的面积。

据 Newsis 等消息，三星计划以 8nm RF 晶圆代工工艺技术服务，以此抢攻 5G 领域。

据介绍，三星这种尖端的代工技术有望提供“单芯片解决方案”，专门用于支持多通道和多天线芯片设计的 5G 通信。三星的 8nm 射频平台扩展有望将公司在 5G 半导体市场的领先地位从低于 6GHz 扩展到毫米波应用。