Qorvo推出适合雷达应用的超紧凑GaN X频段前端模块

2018年06月20日 17:46    发布者:eechina
四合一封装产品集尺寸、重量、功率和成本优势与高RF生存性于一体

Qorvo, Inc.推出针对下一代有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达设计的高性能 X 频段前端模块 (FEM)--- QPM2637 和 QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓 (GaN) 产品也符合任务关键型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

预计到 2022 年,适合雷达应用的 RF 前端组件的需求量将超过 10 亿美元,未来五年的复合年增长率为 9%。由于 GaN 普及率明显超过其他技术选项,因此预计未来五年,国防应用的 RF GaN 器件市场(如雷达、电子战和通信)的复合年增长率将达到 24%。

Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的创新 GaN 技术构建,可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性,同时可缩减尺寸、重量和成本。

GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能,包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到 100mW 的输入功率条件下都会受损,与之相比,GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的输入功率,且不会造成永久损坏。

Qorvo 高性能解决方案总经理 Roger Hall 表示:“利用 Qorvo 经过现场验证的 GaN 技术,客户可解决许多 AESA 雷达系统设计相关挑战,包括提高功率输出和可靠性。新推出的 GaN 模块符合出口要求,提升了我们交付最高级别集成产品(四合一产品)的能力,有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的 FEM。”

符合资格的客户现在可索取这些符合 EAR99 出口要求的新产品样品。更多信息,请访问 qorvo.com/defense。


       QPM2637  QPM1002
  RX      
  噪声系数  2.7dB  2.2dB
  小信号增益  21dB  25dB
  RF 输入功率生存性  4W  2W
  TX      
  小信号增益  32dB  33dB
  饱和功率  36dBM  35dBM
  PAE  36dBM 时为 38%  35dBm 时为 32%
  尺寸  6.0 x 5.0 x 1.8  mm  5.0 x 5.0 x 0.85  mm
  #RF 输入接收器端口  双端口  单端口