派更宣布可量产供应开创性的UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关

PE42525和PE426525具有高速开关、高隔离度、低插入损耗及出色的线性度等特性，为微波频段上的RF SOI设定了新标准

RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司宣布，其可立即量产供应UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓（GaAs）技术主导的频段。

这两种60 GHz开关在所有关键射频参数上均表现出杰出的性能，最高开关速度仅8纳秒。PE42525是5G系统中测试与测量（T&M）设备、微波回传解决方案及更高频率开关的理想选择。PE426525扩展了适用温度区间，成为工业市场中严苛环境应用的首选。

派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示：“去年10月初，我们在欧洲微波与射频通讯技术专业展览会（European Microwave Week）上宣布将推出60 GHz开关样品和评估工具，获得了巨大的市场反响。这些高频开关在多个市场被广泛应用，包括5G、测试与测量和防务市场等。这些开关不仅打破了高频开关产品的范例，同时也改变了SOI快速开关的固有模式。”

PE42525和PE426525是派更公司高频产品组合的成员，该产品组合包括多款开关产品、一种镜像抑制混频器，及多款单片相位与幅度控制器（MPAC）。派更公司的专属UltraCMOS技术平台可确保这些产品达到较高的频率，且不会对产品性能或可靠性造成影响。

产品特性、封装、价格与供货

PE42525与PE426525均为单刀双掷（SPDT）射频开关，可支持9 kHz~60 GHz的宽广频率区间。这两款反射式开关可实现惊人的8纳秒高速开关速度，以及3纳秒的RF TRISE/TFALL时间。这两款开关仅需390纳安的低电流。除所有关键射频规格均达到卓越性能外，它们还具备端口间高隔离度、低插入损耗、大功率处理能力、高线性度及杰出1 kV HBM ESD保护等性能。在50 GHz时，PE42525与PE426525的端口间隔离度为37 dB，插入损耗为1.9 dB。PE426525的扩展温度范围达到-55~+125摄氏度。

PE42525和PE426525采用500微米凸块间距的倒装片芯，这种外形最适应于高频工作，可消除因焊线结合长度而产生的性能差异。

量产零件与评估工具已上市销售。订购1千片时的价格为PE42525每片40美元，PE426525每片48美元。


  特性  UltraCMOS®  PE42525  UltraCMOS®  PE426525
  频率范围  9 kHz-60 GHz
  快速开关时间  8纳秒（典型值）
  RF TRISE/TFALL  3纳秒（典型值）
  端口间高隔离度  37 dB（ 在50 GHz时的典型值）
  低插入损耗  1.9 dB（ 在50 GHz时的典型值）
  大功率处理能力  33 dBm 的P1dB（ 在40 GHz时的典型值）
  高线性度  46 dBm的 IIP3（在13.4  GHz时的典型值）
  高ESD保护  1 kV HBM，射频引脚对GND
  温度范围  -40 °C 至 +105 °C  -55 °C 至 +125 °C
  封装  倒装片芯