iST宜特独家研发出MEMS G-Sensor失效分析标准流程

在先端科技的蓬勃发展下，MEMS组件已成为智能产品的主要核心。为降低企业投入MEMS开发时，因故有分析技术难以找出MEMS真正失效原因，iST集团-台湾宜特今(10/15)宣布，成功建构出MEMS G-Sensor的标准失效分析流程。此流程亦被许多公司实际采用，目前全台开发MEMS G-sensor的公司中，约达九成在iST宜特帮助下解决失效问题。

iST独家研发的MEMS G-Sensor失效分析标准流程，更正式通过全球最具代表性，电子组件检测失效分析技术研讨会－ISTFA的认可，成为全台第一家且是唯一一家拥有MEMS研究团队的实验室。

iST观察发现，许多公司欲了解MEMS组件的失效状况时，由于对其结构的认知度、掌握度不够，因此以传统方式做开盖(De-cap)观察，容易造成组件污染。

此外，iST进一步指出，因组件为悬浮结构，以外力移除时易产生毁损。双方影响下，容易造成组件污染和应力破坏，不但没有找出真因，反而制造更多失效盲点。

为克服此问题，iST今年已成功开发出MEMS无污染的De-cap技术，结合无应力的组件移除技术，以非破坏方式保留结构原貌，避开机械应力和污染产生的非真因失效。目前已帮助三十多家MEMS设计、制造与封装企业，对症下药地找出失效点并成功改善，抢攻市场先机。  
   

失效G-Sensor组件观察影像                    正常G-Sensor组件观察影像
图说:在iST宜特MEMS标准失效分析流程下，可精准看出失效G-Sensor组件的真正失效点。
   
iST集团营运长 林正德指出，2007年预见此市场需求后即投入研发，全面布局MEMS等新兴产品失效分析技术。这几年在大量实务经验深耕下，更于今年建立出MEMS标准失效分析流程。

此技术，iST集团台湾总部技术经理 黄君安将于11月6日在美国加州圣荷西的国际失效分析暨测试研讨会(ISTFA)上发表。欢迎业界先进旧雨新知前来交流。

ISTFA会议报名网址：http://www.asminternational.org/content/Events/istfa/index.jsp