采用TSOP-6封装、搭载最新低压HEXFET的功率MOSFET（IR）

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。

全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。



所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)，不含铅、溴化物和卤素。

产品规格
    器件编号

  (- TRPbF)
      BVDSS      VGS
最大值
      25ºC
时的最大Id
      典型/最大导通电阻(mΩ)       10V      4.5V      2.5V       IRFTS9342
      -30V
      20V      5.9A
      31/39      53/66      NA       IRLTS2242
      -20V
      12V      6.9A
      N/A      26/32      45/55       IRLTS6342
      30V
      12V      7.8A
      12/20      15/24       IRFTS8342
      30V
      20V      8.2A
      15/19      22/29      N/A  
新器件正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站www.irf.com。